КОНТРОЛЬ НОВЫХ ТЕХНОЛОГИЙ В ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ СВЧ ЭЛЕКТРОНИКЕ. Груздов В.В., Колковский Ю.В., Концевой Ю.А.
Дается обобщение опыта по созданию методов входного и технологического контроля при разработке и производстве СВЧ транзисторов на основе широкозонных материалов, в частности, транзисторов на гетероструктурах типа AIGaN/GaN; представлен опыт создания транзисторов и СВЧ блоков на их основе в ОАО «НПП «Пульсар».
Описаны стандарты в технологии СВЧ транзисторов; разбирается проблема интеллектуальной собственности в этой области в Российской Федерации – проблемы, документы и техническое регулирование в РФ и за рубежом; рассмотрены системы отечественных и зарубежных стандартов, на основе которых проводятся разработки СВЧ транзисторов.
Описаны технологические процессы создания СВЧ транзисторов на широкозонных материалах и факторы, определяющие качество изделий СВЧ электроники; детально анализируется технология производства транзисторов с учетом имеющегося опыта их реального изготовления; подробно обсуждаются физические основы гетероструктур, свойства широкозонных полупроводников, методы изготовления СВЧ транзисторов.
Анализируется процесс выявления дефектов технологии и контроль качества исходных гетероструктур широкозонных материалов; рассмотрены электрические, оптические, рентгеновские, электронно-микроскопические и аналитические методы, которые применяются при входном и технологическом методах контроля; отдельно разбирается СВЧ аппаратура на нитрид-галлиевых приборах.
Для специалистов в области электроники, исследователей, инженеров-практиков и разработчиков радиоэлектронной аппаратуры.
