Авторизация | Регистрация
Авторы от А до Я Расширенный поиск
-
-
товара: 0 шт.
на сумму: 0 руб.
пн-пт с 1000 до 1800
8 (499)
973-25-13
Задать вопрос
Доставка
Оплата
отобразить с
обложками
Каталог
2 книги
Сортировать результаты по:
Название Обложка Автор Год Цена Купить
Тенденции развития современной технологии электронной техники заключаются в увеличении степени интеграции изделий на поверхности подложек, что связано как с увеличением диаметра применяемых в производстве подложек, так и с уменьшением геометрических размеров элементов изделий на их поверхности. Сегодня размеры используемых полупроводниковых подложек возросли до 450 мм, а размеры элементов, формируемых на пластине в серийном производстве, уменьшились до 0,02-0,04 мкм. В результате степень интеграции выросла до одного миллиарда и более   полупроводниковых приборов на одной пластине.
Использование ВЧ разряда индуктивно связанной плазмы (ICP) как плазмообразующего источника предоставляет большие преимущества для технологии изделий с микро и нано элементами. В частности, с его помощью достигают высокую плотность плазмы (1011-1012 см-3), минимальный разброс ионов по энергиям (∆ei ≤ 5 эВ), относительно низкое рабочее давление (10–2÷10–1 Па) и низкую энергетическую цену иона (30÷80) эВ/ион. Благодаря отсутствию накаливаемых узлов, источник ICP обладает большим ресурсом работы с химически активными газами. Особенно важно, что он предоставляет возможность независимого управления энергией и плотностью потока ионов,  поступающих на подложку. Успехи в конструировании источников ICP для целей микроэлектроники побудили разработчиков оборудования применить их и в других отраслях, например, в азотировании стальных деталей, обработке полимерных пленок и нанесении специальных покрытий методами PVD и PECVD.
За последнее десятилетие эти источники нашли широкое промышленное применение, по которому появилось большое количество новой информации. Поэтому назрела необходимость составления обзора, цель которого систематизация основных экспериментальных результатов разработки и применения источников ICP.
В книге приведено описание принципов действия, особенностей и преимуществ источников ICP и рассмотрены многочисленные варианты конструкций современных источников ICP. Приведены также примеры технологических применений описываемых источников для нанесения тонких пленок: в процессах PVD и PECVD. И, кроме того, описано формирование плазмохимическим травлением трехмерных структур в различных материалах и двумерных структур в тонких пленках и связанное с такой обработкой существенное изменение свойств поверхностей различных материалов, в особенности полупроводников.
Таким образом, настоящая книга представляет собой подробное справочное руководство по конструкциям и применению источников ICP. В ней обобщено современное развитие этих технологических процессов и используемого для них оборудования. Книга рассчитана на студентов, аспирантов, конструкторов нового технологического оборудования, использующего источники ICP, и технологов, работающих на таком оборудовании. Конструкторы найдут в ней обзор способов достижения высоких параметров источников ICP, а технологи ознакомятся с широким спектром их применения и полученных с их помощью достижений. Она также будет полезна в качестве учебного пособия для студентов старших курсов и аспирантов соответствующих специализаций.


837 р.
Купить
Индуктивные источники высокоплотной плазмы и их технологические применения
Берлин Е.В., Григорьев В.Ю., Сейдман Л.А. 2020 837 руб. Купить
В настоящей книге рассматриваются фундаментальные основы физики плазменных структур и метаматериалов, основанных на таких структурах, а также их различные захватывающие применения для управления светом. Вводная глава 1 описывает базовые свойства резонансов поверхностных плазмонов в металлических частицах и металл-диэлектрических композитах, а также перколяционную модель, использующуюся для их описания. В главе 2 подробно рассмотрены металлические проводящие стержневые композиты и их применения для создания «левых» метаматериалов. Глава 3 и 4 описывают уникальные свойства металл-диэлектрических пленок, называемых также квазинепрерывными, и их основные приложения. В книге также представлена общая теория поверхностного усиления сигнала комбинационного рассеяния и теория нелинейно-оптических явлений в металл-диэлектрических метаматериалах. В конце главы 4 обсуждается аналитическая теория аномального оптического пропускания (линейного и нелинейного). Наконец, глава 5 рассматривает вопрос электромагнитных свойств геометрически упорядоченных металл-диэлектрических кристаллов.

     Книга предназначена научным работникам, аспирантам и студентам, интересующимся электродинамикой метаматериалов.
380 р.
Купить
Электродинамика метаматериалов. Фундаментальные основы нанотехнологий. Основы физики плазменных структур
Сарычев А.К., Шалаев В.М. 2011 380 руб. Купить
Индуктивные источники высокоплотной плазмы и их технологические применения
Осталось всего: 1
Автор: Берлин Е.В., Григорьев В.Ю., Сейдман Л.А.
Рубрика: Плазма, источники, технологическое применение плазмы
ISBN: 978-5-94836-519-0
Год издания: 2020
837 р.
Купить
Электродинамика метаматериалов. Фундаментальные основы нанотехнологий. Основы физики плазменных структур
Автор: Сарычев А.К., Шалаев В.М.
Рубрика: Плазма, источники, технологическое применение плазмы
ISBN: 978-5-91522-226-6
Год издания: 2011
380 р.
Купить