закрыть
Предзаказ на книгу
Осталось всего: 1
993
р.
Купить
МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники. Мир материалов и технологий
Автор: Акчурин Р.Х., Мармалюк А.А.
ISBN: 978-5-94836-521-3
Год издания: 2020
Формат книги: 70х100/16
Кол-во страниц: 488
Издательство: Техносфера
Тип обложки: Переплёт
Вес: 789 гр.
Описание
В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов.
Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэ- лектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.
Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэ- лектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.
Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
Близкие по теме
-
Осталось всего: 1
Автор: Дэвис Дж., Томпсон М. (ред.)
Рубрика: Физика
ISBN: 978-5-94836-292-2
Год издания: 2011
731 р.Купить -
Автор: Мартин Д.К. (ред.)
Рубрика: Химия высокомолекулярных соединений
ISBN: 978-5-91522-230-3
Год издания: 2012
219 р.Купить -
Осталось всего: 1
Автор: Лампрехт Алф (ред.)
Рубрика: Фармакология. Фармация. Токсикология
ISBN: 978-5-91522-221-1
Год издания: 2010
315 р.Купить -
Автор: Мартин Д.К. (ред.)
Рубрика: Химия высокомолекулярных соединений
ISBN: 978-5-91522-230-3
Год издания: 2012
280 р.Купить -
-
Автор: Лампрехт Алф (ред.)
Рубрика: Фармакология. Фармация. Токсикология
ISBN: 978-5-91522-221-1
Год издания: 2010
390 р.Купить