закрыть
Предзаказ на книгу
МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники. Мир материалов и технологий
Автор: Акчурин Р.Х., Мармалюк А.А.
ISBN: 978-5-94836-521-3
Год издания: 2020
Формат книги: 70х100/16
Кол-во страниц: 488
Издательство: Техносфера
Тип обложки: Переплёт
Вес: 789 гр.
Описание
В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов.
Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэ- лектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.
Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэ- лектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.
Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
Близкие по теме
-
Автор: Хосокава М., Ноги К., Наито М., Йокояма Т. (ред.)
Рубрика: Аналитическая химия
ISBN: 978-5-91522-231-0
Год издания: 2013
450 р.Купить -
Автор: Мартин Д.К. (ред.)
Рубрика: Химия высокомолекулярных соединений
ISBN: 978-5-91522-230-3
Год издания: 2012
219 р.Купить -
Осталось всего: 1
Автор: Астапенко В.А.
Рубрика: Физика
ISBN: 978-5-91559-083-9
Год издания: 2010
1 211 р.Купить -
Автор: Цао Гочжун, Ван Ин
Рубрика: Новые технологические материалы и технологии. Нанотехнологии
ISBN: 978-5-91522-224-2
Год издания: 2012
290 р.Купить -
Осталось всего: 1
Автор: Фостер Л.
Рубрика: Техника. Технические науки
ISBN: 978-5-94836-161-1
Год издания: 2008
352 р.Купить -
Осталось всего: 1
Автор: Мансури Г.А.
Рубрика: Физика
ISBN: 978-5-89176-410-5
Год издания: 2008
390 р.Купить